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参数资料
| 型号： | 2N6520RLRA |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-11, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 238K |
| 代理商： | 2N6520RLRA |
2N6515, 2N6517, 2N6520
http://onsemi.com
123
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product (Note 1)
(IC = 10 mAdc, VCE = 20 Vdc, f = 20 MHz)
fT
40
200
MHz
CollectorBase Capacitance
(VCB = 20 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
6.0
pF
EmitterBase Capacitance
(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
2N6515, 2N6517
2N6520
Ceb
80
100
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
TurnOn Time
(VCC = 100 Vdc, VBE(off) = 2.0 Vdc, IC = 50 mAdc, IB1 = 10 mAdc)
ton
200
ms
TurnOff Time
(VCC = 100 Vdc, IC = 50 mAdc, IB1 = IB2 = 10 mAdc)
toff
3.5
ms
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
2N6515
TO92
5000 Unit / Bulk
2N6515RLRM
TO92
2000 Tape & Ammo Box
2N6517
TO92
5000 Unit / Bulk
2N6517RLRA
TO92
2000 Tape & Reel
2N6517RLRP
TO92
2000 Tape & Ammo Box
2N6520RLRA
TO92
2000 Tape & Reel
2N6520RLRAG
TO92
(PbFree)
2000 Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifica-
tions Brochure, BRD8011/D.
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PDF描述 |
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| 2SD1936-AP | 800 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2N6520STOA | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520STOB | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520STZ | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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