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参数资料
| 型号： | 2N6520RLRA |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-11, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 238K |
| 代理商： | 2N6520RLRA |
2N6515, 2N6517, 2N6520
http://onsemi.com
126
Figure 12. TurnOn Time
NPN 2N6515, 2N6517
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70
t,TIME
(ns)
1.0k
20
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0 -5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
-100
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70
30
50
70
100
200
300
500
700
t,TIME
(ns)
td @ VBE(off) = 2.0 V
tr
VCE(off) = 100 V
IC/IB = 5.0
TJ = 25°C
td @ VBE(off) = 2.0 V
tr
VCE(off) = -100 V
IC/IB = 5.0
TJ = 25°C
t,TIME
(ns)
10k
100
200
300
500
700
1.0k
2.0k
3.0k
5.0k
7.0k
20
30
50
70
100
200
300
500
700
1.0k
2.0k
VCE(off) = 100 V
IC/IB = 5.0
IB1 = IB2
TJ = 25°C
VCE(off) = -100 V
IC/IB = 5.0
IB1 = IB2
TJ = 25°C
ts
tf
ts
tf
1.0k
20
10
30
50
70
100
200
300
500
700
Figure 13. TurnOn Time
PNP 2N6520
Figure 14. TurnOff Time
NPN 2N6515, 2N6517
Figure 15. TurnOff Time
PNP 2N6520
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2SC1741ASTP/Q | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1936-AP | 800 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1936-AC | 800 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6520RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520STOA | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520STOB | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520STZ | 功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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