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参数资料
| 型号： | 2N6576 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封装： | METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/60页 |
| 文件大小： | 363K |
| 代理商： | 2N6576 |
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3–144
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
NPN Silicon Power Darlington
Transistors
General–purpose EpiBase power Darlington transistors, suitable for linear and
switching applications.
Replacement for 2N3055 and Driver
High Gain Darlington Performance
Built–in Diode Protection for Reverse Polarity Protection
Can Be Driven from Low–Level Logic
Popular Voltage Range
Operating Range — –65 to +200_C
MAXIMUM RATINGS (1)
Rating
Symbol
2N6576
2N6577
2N6578
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO(sus)
60
90
120
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
60
90
120
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
7.0
Vdc
Collector Current — Continuous
— Peak
IC
15
30
Adc
Base Current — Continuous
— Peak
IB
0.25
0.50
Adc
Emitter Current — Continuous
— Peak
IE
15.25
30.5
Adc
Total Power Dissipation
@ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
120
0.685
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 200
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
1.46
_C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes: 1/16
″ from Case for 10s.
TL
265
_C
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
COLLECTOR
EMITTER
[ 4 k
[ 50
BASE
DARLINGTON SCHEMATIC
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N6576
2N6577
2N6578
15 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
DARLINGTON
60, 90, 120 VOLTS
120 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
REV 7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6678-JQR | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6678.MOD | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6678-JQR-B | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6678-JQR-BR1 | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6715STOA | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6576_1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN Silicon Power Darlington Transistors |
| 2N6577 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device |
| 2N6578 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 2N6579 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 12A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N657A | 功能描述:两极晶体管 - BJT Small Signal Transistor Gen Purp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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