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参数资料
| 型号： | 2N6576 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封装： | METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件页数： | 24/60页 |
| 文件大小： | 363K |
| 代理商： | 2N6576 |
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5–9
Outline Dimensions and Leadform Options
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TO–220 Leadform Options (continued)
LEADFORM BS
LEADFORM AF
.050 REF.
.200 REF.
.100 REF.
MOUNTING
SURFACE
LEAD
.040 MIN.
0.018
± .005
0.080
± 0.015
0.296
± 0.020
.557
(REF.)
.660
± .02
0.607
± 0.015
0.325
± 0.020
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6678-JQR | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6678.MOD | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6678-JQR-B | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6678-JQR-BR1 | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6715STOA | 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6576_1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN Silicon Power Darlington Transistors |
| 2N6577 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device |
| 2N6578 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 2N6579 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 12A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N657A | 功能描述:两极晶体管 - BJT Small Signal Transistor Gen Purp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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