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参数资料
| 型号： | 2N6668 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | 2N6668 |
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
1.92
62.5
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICEO
Collector Cut-off
Current (IB = 0)
VCE = 80 V
1
mA
IEBO
Emitter Cut-off Current
(IC = 0)
VEB = 5 V
5
mA
ICEV
Collector Cut-off
Current (VEB = -1.5V)
VCE = 80 V
300
A
VCEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(IB=0)
IC = 200 mA
80
V
VCE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
IC = 5 A
IB = 0.01 A
IC = 10 A
IB = 0.1 A
2
3
V
VBE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
IC = 5 A
IB = 0.01 A
IC = 10 A
IB = 0.1 A
2.8
4.5
V
hFE
DC Current Gain
IC = 5 A
VCE = 3 V
IC = 10 A
VCE = 3 V
1000
100
20000
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %
For PNP type voltage and current values are negative.
2N6668
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N6671 | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
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| 2N6675 | 15 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6702 | 7 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6668 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
| 2N6668G | 功能描述:达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N6671 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 8A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N6672 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 8A 3PIN TO-3 - Bulk |
| 2N6673 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 400V 8A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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