参数资料
型号: 2N6668
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封装: TO-220, 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 46K
代理商: 2N6668
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.40
4.60
0.173
0.181
C
1.23
1.32
0.048
0.051
D
2.40
2.72
0.094
0.107
D1
1.27
0.050
E
0.49
0.70
0.019
0.027
F
0.61
0.88
0.024
0.034
F1
1.14
1.70
0.044
0.067
F2
1.14
1.70
0.044
0.067
G
4.95
5.15
0.194
0.203
G1
2.4
2.7
0.094
0.106
H2
10.0
10.40
0.393
0.409
L2
16.4
0.645
L4
13.0
14.0
0.511
0.551
L5
2.65
2.95
0.104
0.116
L6
15.25
15.75
0.600
0.620
L7
6.2
6.6
0.244
0.260
L9
3.5
3.93
0.137
0.154
DIA.
3.75
3.85
0.147
0.151
P011C
TO-220 MECHANICAL DATA
2N6668
3/4
相关PDF资料
PDF描述
2N6671 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N6671 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N6672R1 8 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N6675 15 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N6702 7 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
相关代理商/技术参数
参数描述
2N6668 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
2N6668G 功能描述:达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
2N6671 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6672 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6673 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 400V 8A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: