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参数资料
| 型号： | 2N7000_D75Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-92 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | * |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | 2N7000_D75ZFSCT |
Typical Electrical Characteristics (continued)
3
3
2
1
2
1
10
0u
s
Lim
ON
ms
0m
10
N)
S(O
10
0m
0.5
0.1
0.05
0.01
RD
S(
it
)
V GS = 10V
SINGLE PULSE
T A = 25°C
DC
10
10
1s
s
1m
s
10
s
0u
s
0.5
0.1
0.05
0.01
it
Lim
RD
V GS = 10V
SINGLE PULSE
T A = 25°C
10
1s
s
DC
10
s
1m
ms
s
0.005
1
2
5
10
20
30
60
80
0.005
1
2
5
10
20
30
60
80
3
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. 2N7000 Maximum
Safe Operating Area
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. 2N7002 Maximum
Safe Operating Area
1m
2
1
0.5
RD
S(O
N)
Lim
it
10
s
0u
s
10
ms
10
DC
0.1
0.05
0.01
V GS = 10V
SINGLE PULSE
T A = 25°C
10
1s
s
0m
s
0.005
1
2
5
10
20
30
60
80
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. NDS7000A Maximum
Safe Operating Area
1
0.5
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.2
0.1
0 .2
0.1
P(pk)
R θ JA
= (See Datasheet)
0.05
0.05
0 .02
t 1
t 2
0.02
0.01
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 16. TO-92, 2N7000 Transient Thermal Response Curve
1
0.5
D = 0.5
R θ
JA
0.2
0.1
0.05
0 .2
0.1
0 .0 5
0 .0 2
P(pk)
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
= (See Datasheet)
0.01
0 .0 1
t 1
t 2
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.002
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 17. SOT-23, 2N7002 / NDS7002A Transient Thermal Response Curve
2N7000.SAM Rev. A1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS84LT1G | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 |
| 62-227B/KK2C-N3030N4P3S2Z6/2T | LED MID PWR .4W WHT 5.6X3 SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7000G | 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000-G | 功能描述:MOSFET 60V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000-G P002 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET |
| 2N7000-G P003 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET |
| 2N7000-G P005 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET |
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