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参数资料
| 型号： | 2N7000BU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-92 Pkg |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 30pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
November 1995
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These N-Channel enhancement mode field effect transistors
are produced using Fairchild's proprietary, high cell density,
DMOS technology. These products have been designed to
minimize on-state resistance while provide rugged, reliable,
and fast switching performance. They can be used in most
applications requiring up to 400mA DC and can deliver
Features
High density cell design for low R DS(ON) .
Voltage controlled small signal switch.
Rugged and reliable.
High saturation current capability.
pulsed currents up to 2A. These products are particularly
suited for low voltage, low current applications such as small
servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other
switching applications.
___________________________________________________________________________________________
D
G
D
G
S
TO-92
2N7000
Absolute Maximum Ratings
(TO-236AB)
2N7002/NDS7002A
T A = 25°C unless otherwise noted
S
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage (R GS < 1 M ? )
Gate-Source Voltage - Continuous
2N7000
2N7002
60
60
± 20
NDS7002A
Units
V
V
V
- Non Repetitive (tp < 50μs)
± 40
Derated above 25 C
I D
P D
T J ,T STG
T L
Maximum Drain Current - Continuous
- Pulsed
Maximum Power Dissipation
o
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering
200
500
400
3.2
-55 to 150
115
800
200
1.6
300
280
1500
300
2.4
-65 to 150
mA
mW
mW/°C
°C
°C
Purposes, 1/16" from Case for 10 Seconds
THERMAL CHARACTERISTICS
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
312.5
625
417
°C/W
? 1997 Fairchild Semiconductor Corporation
2N7000.SAM Rev. A1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 658H | INDUSTRIAL TOGGLE SWITCH |
| ABM3C-26.000MHZ-KV-T | CRYSTAL 26.000 MHZ 18PF SMD |
| ABM3C-25.000MHZ-KV-T | CRYSTAL 25.000 MHZ 18PF SMD |
| M2022BB1W01-RA | SW TOGGLE DPDT BAT THR SLV SLD |
| 5120.4074.0 | 5120 APPLIANCE INLET FILTER 6A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7000BU_T | |
| 2N7000CSM | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFETHI-RELN CH60V0.2ALCC1 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFET,HI-REL,N CH,60V,0.2A,LCC1 |
| 2N7000CSM_06 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Na??CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N7000-D26Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:2N7000 标准包装:1 |
| 2N7000-D74Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:2N7000 标准包装:1 |
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