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参数资料
| 型号： | 2N7000BU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-92 Pkg |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 30pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
Typical Electrical Characteristics (continued)
2N7000 / 2N7002 /NDS7002A
1.1
2
1.075
I D = 250μA
1
V GS = 0V
0 .5
1.05
T J = 1 2 5 ° C
1.025
1
0.975
0.95
0 .1
0 .0 5
0 .0 1
0 .0 0 5
25°C
-5 5 ° C
0.925
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEM PERATURE (°C)
125
150
0 .0 0 1
0 .2
0 .4
V SD
0 .6 0 .8 1 1 .2
, BODY DIODE FORW A RD VOLTAGE (V)
1 .4
60
40
20
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
C iss
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
10
V DS = 2 5 V
8
10
5
C oss
C rss
6
4
I D = 5 0 0 m A
2
f = 1 MHz
V GS = 0V
2
280m A
115m A
1
0
1
2
3
5
10
20
30
50
0
0 .4
0 .8
1 .2
1 .6
2
V DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
V DD
t on
t off
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V IN
R L
90%
90%
V GS
R GEN
G
D
DUT
V OUT
Output, Vout
Input, Vin
10%
50%
50%
10%
90%
Inverted
S
10%
Pulse Width
Figure 11.
Figure 12. Switching Waveforms
2N7000.SAM Rev. A1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 658H | INDUSTRIAL TOGGLE SWITCH |
| ABM3C-26.000MHZ-KV-T | CRYSTAL 26.000 MHZ 18PF SMD |
| ABM3C-25.000MHZ-KV-T | CRYSTAL 25.000 MHZ 18PF SMD |
| M2022BB1W01-RA | SW TOGGLE DPDT BAT THR SLV SLD |
| 5120.4074.0 | 5120 APPLIANCE INLET FILTER 6A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7000BU_T | |
| 2N7000CSM | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFETHI-RELN CH60V0.2ALCC1 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFET,HI-REL,N CH,60V,0.2A,LCC1 |
| 2N7000CSM_06 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Na??CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N7000-D26Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:2N7000 标准包装:1 |
| 2N7000-D74Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:2N7000 标准包装:1 |
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