- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30468 > 2N7002-T1 (VISHAY SILICONIX) 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N7002-T1 |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | 2N7002-T1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002-TP | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002CSM-QR-BG4 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002CSM-JQR-BG4 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002CSM-JQR-AG4 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002E-13 | 240 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 0.115A 0.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N TO-236 |
| 2N7002-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
| 2N7002-T1-ER | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SOT23 NCH MOSFET 60V 7.5R |
| 2N7002-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。