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参数资料
| 型号： | 2N7002CSM-JQR-AG4 |
| 厂商： | SEMELAB LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | CERAMIC, SOT-23, LCC1-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 14K |
| 代理商： | 2N7002CSM-JQR-AG4 |
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk
Website http://www.semelab.co.uk
Prelim. 7/98
2N7002CSM
* Pulse width limited by maximum junction temperature.
N–CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
MOS TRANSISTOR
FEATURES
V(BR)DSS = 60V
RDS(ON) = 7.5
ID = 0.115A
VDS
Drain – Source Voltage
VGS
Gate – Source Voltage
ID
Drain Current
@ TCASE = 25°C
ID
Drain Current
@ TCASE = 100°C
IDM
Pulsed Drain Current *
PD
Power Dissipation
@ TCASE = 25°C
PD
Power Dissipation
@ TCASE = 100°C
Tj
Operating Junction Temperature Range
Tstg
Storage Temperature Range
60V
±40V
±0.115A
±0.073A
0.8A
200mW
80mW
–55 to 150°C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TCASE = 25°C unless otherwise stated)
SOT23 CERAMIC
(LCC1 PACKAGE)
21
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004)
0.31
(0.012)
1.91 ± 0.10
(0.075 ± 0.004)
3.05 ± 0.13
(0.12 ± 0.005)
2.
54
±
0.
13
(0
.10
±
0.
005)
0.
76
±
0.
1
5
(0
.03
±
0.
00
6)
1.02 ± 0.10
(0.04 ± 0.004)
1.40
(0.055)
max.
A
0.31
(0.012)
rad.
A =
3
PAD 1 – Gate
Underside View
PAD 2 – Source
PAD 3 – Drain
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002E-13 | 240 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002E-T1-GE3 | 240 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 2N7002FT/R | 475 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 2N7002G-AL6-R | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002G-AL3-R | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002-D87Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件编号:2N7002 标准包装:1 |
| 2N7002DCSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N7002DSPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:Dual N-Channel Enhancement MOS FET |
| 2N7002DW | 功能描述:MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002DW _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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