| 型号: | 2N7002/T3 |
| 厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数: | 1/13页 |
| 文件大小: | 153K |
| 代理商: | 2N7002/T3 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002-T | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 2N7002TRL13 | 180 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7221 | 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| 2N7236R1 | 18 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| 2N7221R1 | 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002T-7 | 功能描述:MOSFET 60V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002T-7-F | 功能描述:MOSFET 60V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002TA | 功能描述:MOSFET N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002-TA | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 0.115A 3PIN TO-236 - Tape and Reel |
| 2N7002TC | 功能描述:MOSFET N Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |