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参数资料
| 型号： | 2N7002CSM-JQR-B |
| 厂商： | SEMELAB LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC1-3 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | 2N7002CSM-JQR-B |
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE MOSFET
2N7002CSM
Semelab L
Semelab Limited
imited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
Document Number 8550
Issue 1
Page 2 of 3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise stated)
Symbols
Parameters
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
BVDSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
VGS = 0
ID = 10A
60
V
ID = 250A
VDS ≥ VGS
1.0
2.5
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
ID = 1.0mA
TA = -55°C
2.5
V
IGSS
Gate-Source Leakage Current
VGS = ±20V
VDS = 0V
±100
nA
VGS = 0
VDS = 60V
1.0
IDSS
Zero Gate Voltage
Drain Current
TA = 125°C
500
A
VGS = 5V
ID = 50mA
1.5
VDS(on)
(2)
Static Drain-Source
On-State Voltage
VGS = 10V
ID = 0.5A
3.75
V
VGS = 5V
ID = 50mA
7.5
TA = 125°C
13.5
VGS = 10V
ID = 0.5A
7.5
RDS(on)
(2)
Static Drain-Source
On-State Resistance
TA = 125°C
13.5
gfs
(2)
Forward Transconductance
VDS = 10V
ID = 0.2A
80
m
VSD
(2)
Body Diode Forward Voltage
VGS = 0
IS = 0.2A
0.7
1.2
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Ciss
Input Capacitance
VGS = 0
50
Coss
Output Capacitance
VDS = 25V
25
Crss
Reverse Transfer Capacitance
f = 1.0MHz
5
pF
td(on)
Turn-On Delay Time
VDD = 30V
20
td(off)
Turn-Off Delay Time
ID = 2.0A
RG = 50
20
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002CSM-QR-B | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002DCSM-JQR-A | 115 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002DCSM-JQR | 115 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002DWT/R7 | 115 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002E-E3 | 240 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002-D87Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件编号:2N7002 标准包装:1 |
| 2N7002DCSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N7002DSPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:Dual N-Channel Enhancement MOS FET |
| 2N7002DW | 功能描述:MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002DW _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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