- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录378 > 2N7002VA (Fairchild Semiconductor)MOSF N CH DL 60V 280MA SOT 563F Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | 2N7002VA |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH DL 60V 280MA SOT 563F |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 20/Aug/2008 |
| 产品目录绘图： | SOT-523F, SC89-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563F |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2N7002VADKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics (Note1)
BV DSS
I DSS
Drain-Source Breakdown Voltage V GS =0V, I D =10 μ A
Zero Gate Voltage Drain Current V DS =60V, V GS =0V
V DS =60V, V GS =0V, @T C =125 ° C
60
-
78
0.001
7
-
1.0
500
V
μ A
I GSS
Gate-Body Leakage
V GS =±20V, V DS =0V
-
0.2
±100
nA
On Characteristics (Note1)
V GS(th)
R DS(ON)
I D(ON)
g FS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
On-State Drain Current
Forward Transconductance
V DS =V GS , I D =250 μ A
V GS =5V, I D =0.05A,
V GS =10V, I D =0.5A, @T J =125°C
V GS =10V, V DS =7.5V
V DS =10V, I D =0.2A
1.0
-
-
0.5
80
1.76
1.6
2.53
1.43
356.5
2.5
7.5
13.5
-
-
V
Ω
A
mS
Dynamic Characteristics
C iss
Input Capacitance
-
37.8
50
pF
C oss
C rss
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS =25V, V GS =0V, f=1.0MHz
-
-
12.4
6.5
25
7.0
pF
pF
Switching Characteristics
t D(ON)
t D(OFF)
Turn-On Delay Time
Turn-Off Delay Time
V DD =30V, I D =0.2A, V GEN =10V
R L =150 Ω , R GEN =25 Ω
-
-
5.85
12.5
20
20
ns
Note1 : Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
2N7002V/VA Rev. A1
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002VC-7 | MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-563 |
| 2N7002W-7 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323 |
| 2N7002W | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323 |
| 2SJ649-AZ | MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 |
| 2SJ652-RA11 | MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002VA-7 | 功能描述:MOSFET 60V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002VA-7-F | 功能描述:MOSFET 60V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002VA-7-L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2N7002VAC | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2N7002VAC-7 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。