参数资料
型号: 2N7002W-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 115mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.5 欧姆 @ 50mA,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V
功率 - 最大: 200mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商设备封装: SOT-323
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: 2N7002WDICT
2N7002W
1.0
7
6
0.8
5
0.6
0.4
4
3
2
0.2
1
0
0
1
2
3
4
5
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1.0
3.5
3.0
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 On-Region Characteristics
6
5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 2 On-Resistance vs. Drain Current
2.5
4
2.0
3
1.5
1.0
0.5
2
1
0.0
-55
-30 -5 20 45 70 95 120 145 170
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 3 On-Resistance vs. Junction Temperature
0
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Package Outline Dimensions
A
SOT-323
Dim Min Max
K
TOP VIEW
G
H
B C
M
A
B
C
D
F
G
H
J
K
0.25 0.40
1.15 1.35
2.00 2.20
0.65 Nominal
0.30 0.40
1.20 1.40
1.80 2.20
0.0 0.10
0.90 1.00
J
D
F
L
L
M
0.25 0.40
0.10 0.18
??
0° 8°
All Dimensions in mm
2N7002W
Document number: DS30099 Rev. 14 - 2
3 of 4
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述
2N7002W MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323
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参数描述
2N7002W-7-F 功能描述:MOSFET 60V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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