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参数资料
| 型号： | 2PD601ASL/DG |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | 2PD601ASL/DG |
1.
Product prole
1.1 General description
NPN general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted
Device (SMD) plastic package.
[1]
/DG: halogen-free.
1.2 Features
I General-purpose transistors
I Two current gain selections
I AEC-Q101 qualied
I Small SMD plastic package
1.3 Applications
I General-purpose switching and amplication
1.4 Quick reference data
2PD601ARL; 2PD601ASL
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
Rev. 01 — 6 November 2008
Product data sheet
Table 1.
Product overview
Type number[1]
Package
PNP complement
NXP
JEDEC
2PD601ARL
SOT23
TO-236AB
2PB709ARL
2PD601ASL
2PB709ASL
2PD601ARL/DG
SOT23
TO-236AB
2PB709ARL/DG
2PD601ASL/DG
2PB709ASL/DG
Table 2.
Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VCEO
collector-emitter voltage
open base
-
50
V
IC
collector current
-
100
mA
hFE
DC current gain
VCE =10V;
IC =2mA
hFE group R
210
-
340
hFE group S
290
-
460
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2PD601ASW,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2PD601AW | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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