参数资料
型号: 2PD601ASL/DG
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封装: PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 2/9页
文件大小: 56K
代理商: 2PD601ASL/DG
2PD601AXL_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 6 November 2008
2 of 9
NXP Semiconductors
2PD601ARL; 2PD601ASL
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
2.
Pinning information
3.
Ordering information
[1]
/DG: halogen-free.
4.
Marking
[1]
* = -: made in Hong Kong
* = p: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
* = W: made in China
Table 3.
Pinning
Pin
Description
Simplied outline
Graphic symbol
1
base
2
emitter
3
collector
12
3
sym021
3
2
1
Table 4.
Ordering information
Type number[1]
Package
Name
Description
Version
2PD601ARL
-
plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT23
2PD601ASL
2PD601ARL/DG
2PD601ASL/DG
Table 5.
Marking codes
Type number
Marking code[1]
2PD601ARL
SM*
2PD601ASL
SK*
2PD601ARL/DG
SR*
2PD601ASL/DG
SY*
相关PDF资料
PDF描述
2SA1384-R 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1417Q 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1707TL 4000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB905-O(2-7B1A) 1500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC1627A-Y 400 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2PD601ASW 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistor
2PD601ASW T/R 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ASW,115 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ASW115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
2PD601AW 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor