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参数资料
| 型号： | 2SA1034S |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 257K |
| 代理商： | 2SA1034S |
2SA1034, 2SA1035
2
SJC00010BED
IB VBE
IC VBE
VCE(sat) IC
PC Ta
IC VCE
IC IB
hFE IC
fT IE
Cob VCB
0
160
40
120
80
0
240
200
160
120
80
40
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
0
12
10
8
2
6
4
0
160
120
40
100
140
80
20
60
Ta
= 25°C
IB
= 350 A
300 A
250 A
200 A
150 A
100 A
50 A
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0
0.5
0.4
0.1
0.3
0.2
0
160
120
40
100
140
80
20
60
VCE
= 5 V
Ta
= 25°C
Base current I
B (mA)
Collector
current
I
C
(mA
)
0
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
800
600
200
500
700
400
100
300
VCE
= 5 V
Ta
= 25°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Base
current
I
B
(
A
)
0
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
120
100
80
60
40
20
VCE
= 5 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
600
500
400
300
200
100
VCE
= 5 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
500
400
300
200
100
VCB
= 5 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
0.1
1
10
100
0
20
16
12
8
4
18
14
10
6
2
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1034R | 50 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1036-R | 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1036-Q | 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1037-R | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1037-S | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1034T | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB |
| 2SA1035 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type |
| 2SA10350SL | 功能描述:TRANS PNP 55VCEO 50MA MINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1035R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB |
| 2SA1035S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB |
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