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参数资料
| 型号： | 2SA1313-Y |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封装： | 2-3F1A, SC-59, TO-236MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | 2SA1313-Y |
Central
Semiconductor Corp.
TM
145 Adams Avenue
Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
www.centralsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1313 | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1315 | 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1315-O | 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1316 | 100 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1316-GR | 100 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1313-Y(T5L,F,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 50MA S-MINI |
| 2SA1313-Y(TE85L,F) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Bipolar Small-Signal Transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1313-Y,LF | 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 |
| 2SA1313YT5LFT | 功能描述:两极晶体管 - BJT SM SIG POWER TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1314-B(TE12L,CF | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 10V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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