- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30490 > 2SA1714-AZ 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA1714-AZ |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | 2SA1714-AZ |
Data Sheet D16124EJ1V0DS
2
2SA1714
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector to emitter voltage
VCEO(SUS)
IC =
3.0 A, IB = 3.0 mA, L = 1.0 mH
100
V
Collector cutoff current
ICBO
VCB =
100 V, IE = 0
10
A
Collector cutoff current
ICEO
VCE =
100 V, RBE = ∞10
A
DC current gain
hFE1**
VCE =
2.0 V, IC = 1.5 A
2,000
20,000
DC current gain
hFE2**
VCE =
2.0 V, IC = 3.0 A
1,000
Collector saturation voltage
VCE(sat)**
IC =
1.5 A, IB = 1.5 mA
0.9
1.2
V
Base saturation voltage
VBE(sat)**
IC =
1.5 A, IB = 1.5 mA
1.5
2.0
V
Turn-on time
ton
0.15
s
Storage time
tstg
1.2
s
Fall time
tf
IC =
1.5 A, IB1 = IB2 = 1.5 mA,
RL = 33
, VCC 50 V
Refer to the test circuit.
0.6
s
** Pulse test PW
≤ 350
s, duty cycle ≤ 2%/pulsed
hFE CLASSIFICATION
Marking
M
L
K
hFE1
2,000 to 5,000
4,000 to 10,000
8,000 to 20,000
SWITCHING TIME (ton, tstg, tf) TEST CIRCUIT
Base current
waveform
Collector current
waveform
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1714-M | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1714 | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1714-M-AZ | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1720-L | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1721OTE85L | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1720-AZ-L | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk |
| 2SA1720-K(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1720-L(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1721OTE85LF | 功能描述:TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 |
| 2SA1721RTE85LF | 功能描述:TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。