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参数资料
| 型号： | 2SA1721-R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封装： | 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 408K |
| 代理商： | 2SA1721-R |
2SA1721
2007-11-01
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1721
High Voltage Control Applications
Plasma Display, Nixie Tube Driver Applications
Cathode Ray Tube Brightness Control Applications
High voltage: VCBO = 300 V, VCEO = 300 V
Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)
Small collector output capacitance: Cob = 5.5 pF (typ.)
Complementary to 2SC4497
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
300
V
Collector-emitter voltage
VCEO
300
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
100
mA
Base current
IB
20
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55~150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Marking
Unit: mm
JEDEC
TO-236MOD
JEITA
SC-59
TOSHIBA
2-3F1A
Weight: 0.012 g (typ.)
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PDF描述 |
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