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参数资料
| 型号： | 2SA1729R |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243 |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2SA1729R |
2SA1729
No.3133-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=--2V, IC=--100mA
70*
280*
hFE2VCE=--2V, IC=--1.5A
25
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=--2V, IC=--100mA
300
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=--10V, f=1MHz
18
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--800mA, IB=--40mA
--0.3
--0.8
V
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--800mA, IB=--40mA
--0.9
--1.3
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10μA, IE=0A
--50
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--40
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10μA, IC=0A
--5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
50
100
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
120
220
ns
Turn-OFF Time
toff
See specified Test Circuit.
150
300
ns
*: The 2SA1729 is classified by 100mA hFE as follows:
Rank
Q
R
S
hFE
70 to 140
100 to 200
140 to 280
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
VR
RL
VCC=--25V
VBE=1V
IC=20IB1= --20IB2= --800mA
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RB
100μF
470μF
PW=20μs
IB2
D.C.≤1%
IB1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SA1738Q | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
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| 2SA1771 | 12 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1774EB-S | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SA1733 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1734(TE12L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
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