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参数资料
| 型号： | 2SA1801 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-8H1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | 2SA1801 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1802 | 3000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1804 | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1804-O | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1805-R | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1805 | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1804 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:-120V -8A 70W Bce Toshiba Transistor 2-16F1A |
| 2SA1804-O | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1804-R(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1805-O(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1806GRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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