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参数资料
| 型号： | 2SA1862TLP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CPT3, SC-63, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 2SA1862TLP |
2SA1862
Transistors
Rev.B
2/2
Electrical characteristic curves
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.1 Ground emitter output characteristics
2
0
4
6
8
10
0
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
Ta
=25°C
IB
= 0.5mA
1.0mA
1.5mA
2.0mA
2.5mA
3.0mA
3.5mA
4.0mA
4.5mA
5.0mA
-0.2
0
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
0.001
0.002
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
0.005
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
Fig.2 Grounded emitter propagation characteristics
Ta
=25°C
VCE
= 5V
0.001 0.002
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
5 10
0.005
1000
200
100
20
10
1
2
5
50
500
DC
CURRENT
GAIN
:
h
EF
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.3 DC current gain vs. collector current
Ta
=25°C
VCE
= 5V
BE(sat)
(V)
CE(sat)
(V)
ib
(pF)
ob
(pF)
0.001 0.002
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
5 10
0.005
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
10
2
1
0.5
5
BASE
SAURATION
VLTAGE
:
V
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage vs.
collector current
Base-emitter saturation voltage vs.
collector current
Ta
=25°C
IC/IB
=5
VCE(sat)
VBE(sat)
0.1
0.2
0.5 1
2
5 10 20
50 100
2000
1000
200
100
10
20
50
500
10000
5000
1000
Ta
=25°C
f
=1MHz
IE
=0A
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
C
COLLECTOR
OUTPUT
SATURATION
:
C
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE
: VEB (V)
Fig.6 Collector output capacitance vs. collector-bass voltage
Emitter input capacitance vs. emitter-base voltage
Cob
Cib
0.001 0.002
0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5 10
0.005
20
10
1
2
5
200
100
50
500
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
EMITTER CURRENT : IE (A)
Ta
=25°C
VCE
=10V
T
(MHz)
Fig.5 Gain bandwidth product vs. emitter current
1
2
5 10 20
50 100 200 500 1000
10
2
1
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
0.5
5
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.7 Safe operating area
Tc
=25°C
Single
nonrepetitive
pulse
DC
IC Max.(Pulse)
Pw
=10ms
100ms
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
100
10
0.01
0.1
1
1000
TRANSIENT
THERMAL
RESISTENCE
:
R
th
(°
C/W)
TIME : t (s)
Fig.8 Transient thermal resistance
(1)Using infinite heat sink
(2)Unmounted
(2)
(1)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1862TL/P | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1864 | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1869Y | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1869 | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1871 | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1869-Y(JKT,Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SA1869-Y(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -3A 120 to 240 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Tr.,PNP,50V/3A,hfe=120to240,TO-220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SA1869-Y(Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SA1869-Y,MTSAQ(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SA1869-Y,Q(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
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