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参数资料
| 型号： | 2SA1926 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-7D101A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | 2SA1926 |
2SA1926
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1926
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.17 V (max)
(IC = 1 A)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
80
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
8
V
Collector current
IC
3
A
Base current
IB
1
A
Collector power dissipation
PC
1000
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 80 V, IE = 0
―
1
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 8 V, IC = 0
―
1
A
Collector-emitter breakdown voltage
VCEO
IC = 10 mA, IB = 0
80
―
V
hFE (1)
VCE = 2 V, IC = 500 mA
150
―
400
DC current gain
hFE (2)
VCE = 2 V, IC = 1.5 A
40
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 1 A, IB = 50 mA
―
0.17
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 1 A, IB = 50 mA
―
1.2
V
Transition frequency
fT
VCE = 2 V, IC = 0.5 A
―
80
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
45
―
pF
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7D101A
Weight: 0.2 g (typ.)
A1926
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Part No. (or abbreviation code)
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PDF描述 |
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| 2SA1927F | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SA1928G | 50 mA, 100 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1928F | 50 mA, 100 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1928 | 50 mA, 100 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1930(LBS2MATQ,M | 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
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| 2SA1930(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi,Bipolar,Transistor,2SA1930(Q),PNP,Power,Low voltage |
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