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参数资料
| 型号： | 2SA1931 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-10R1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 235K |
| 代理商： | 2SA1931 |
2SA1931
2005-07-27
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT PROCESS)
2SA1931
High-Current Switching Applications
Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max)
High-speed switching time: tstg = 1.0 s (typ.)
Complementary to 2SC4881
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
Collector current
IC
5
A
Base current
IB
1
A
Ta = 25°C
2.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
20
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
―
1
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
―
1
A
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
50
―
V
hFE (1)
VCE = 1 V, IC = 1 A
100
―
300
DC current gain
hFE (2)
VCE = 1 V, IC = 3 A
60
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 2 A, IB = 0.2 A
―
0.2
0.4
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 2 A, IB = 0.2 A
―
0.9
1.5
V
Transition frequency
fT
VCB = 1 V, IC = 1 A
―
60
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
100
―
pF
Turn-on time
ton
―
0.1
―
Storage time
tstg
―
1.0
―
Switching time
Fall time
tf
IB1 = IB2 = 0.15 A, duty cycle ≤ 1%
―
0.1
―
s
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
20 s
Input
IB2
IB1
Output
VCC = 30 V
I B1
10
IB2
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