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参数资料
| 型号： | 2SA1939-O |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-16C1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | 2SA1939-O |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1941-R | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1941-O | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1942-O | 12 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1943-O | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1952TL/Q | 5000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1939-O(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 80V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
| 2SA1940-O(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 120V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) |
| 2SA1940-R(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1941-O(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -140V -10A 80 to 160 TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP 140V 10A TO-3PN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Tr.,PNP,140V/10A,hfe=80to160,TO-3P(N) 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 140V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
| 2SA1941-O(Q,T) | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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