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参数资料
| 型号： | 2SA1960 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | 2SA1960 |
2SA1960
Silicon NPN Epitaxial
ADE-208-392
1st. Edition
Application
Wide band video output amplifier for color CRT monitor.
High frequency high voltage amplifier.
High speed power switching.
Complementary pair with 2SC5225.
Features
High voltage large current operation.
V
CEO = –80 V, IC = –300 mA
High f
T.
f
T = 1.3 GHz
Small output capacitance.
Cob = 2.9 pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1962 | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1977-FB | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1977-FB | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2014 | 9 A, 15 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5568 | 8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA19610QAHW | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA19620TU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| 2SA1962-O | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1962-O(Q) | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1962-O(Q,T) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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