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参数资料
| 型号： | 2SA1960 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | 2SA1960 |
2SA1960
2
Outline
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-92 (1)
3
2
1
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
–80
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
–80
V
Emitter to base voltage
V
EBO
–3
V
Collector current
I
C
–300
mA
Collector power dissipation
P
C
625
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1962 | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1977-FB | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1977-FB | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2014 | 9 A, 15 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5568 | 8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA19610QAHW | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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| 2SA1962-O(Q,T) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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