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参数资料
| 型号： | 2SA1962 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-16C1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | 2SA1962 |
2SA1962
2004-07-07
2
Marking
A1962
TOSHIBA
Lot No.
Characteristics
indicator
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Part No. (or abbreviation code)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1977-FB | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1977-FB | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2014 | 9 A, 15 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5568 | 8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5567 | 9 A, 15 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA19620TU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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| 2SA1962-O(Q,T) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1962OTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 230V 15A 130W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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