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参数资料
| 型号： | 2SA1962 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-16C1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | 2SA1962 |
2SA1962
2004-07-07
3
IC – VCE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VBE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Base-emitter voltage VBE (V)
hFE – IC
D
C
c
urr
en
tg
ai
n
h
FE
Collector current IC (A)
Collector-emitter voltage VCE (V)
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
a
tu
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(s
a
t)
(
V
)
Safe Operating Area
Common emitter
Tc = 25°C
0
IB = 10 mA
800
4
8
12
16
20
2
4
6
8
10
50
600
400
250
200
150
100
40
20
30
Common emitter
VCE = 5 V
0
Tc = 100°C
4
8
12
16
20
25
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
25
Common emitter
IC/IB = 10
Tc = 100°C
0.01
0.1
1
0.1
3
1
25
0.3
10
100
0.03
Common emitter
VCE = 5 V
1
0.01
25
10
30
100
300
0.1
1
10
Tc = 100°C
100
3
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
IC max (pulsed)*
DC operation
Tc = 25°C
2
3
5
10
30
50
100 ms*
10 ms*
1 ms*
VCEO max
0.3
100
300
1000
0.5
1
0.03
0.05
0.1
30
IC max (continuous)
10
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