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参数资料
| 型号： | 2SA1977 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | 2SA1977 |
2SB1495
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
2SB1495
High-Power Switching Applications
High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 2 A)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1.5 A)
Complementary to 2SD2257
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
100
V
Emitter-base voltage
VEBO
8
V
DC
IC
3
Collector current
Pulsed
ICP
5
A
Base current
IB
0.3
A
Ta = 25°C
2.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
20
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
Base
Emitter
≈ 4 k
≈ 800
Collector
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1977-A | 功能描述:TRANS RF PNP 12V 0.05A SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
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| 2SA1977-T1B-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1978-A | 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
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