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参数资料
| 型号： | 2SA2011 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 12 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | 2SA2011 |
2SA2011 / 2SC5564
No.6305-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)12V, IE=0A
(--)0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)0.1
μA
DC Current Gain
hFE
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
200
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
(350)380
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(41)23
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
(--)120
(--)180
mV
VCE(sat)2
IC=(--)3A, IB=(--)60mA
(--190)200 (--290)300
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)15
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--12)15
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)5
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(35)30
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(110)190
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
15
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
VR
RB
RL
VCC=5V
100μF
470μF
VBE=--5V
PW=20μs
IB1
IB2
D.C.≤1%
IC=20IB1= --20IB2=1.5A
(For PNP, the polarity is reversed)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2011 | 6 A, 12 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2018HT2L | 500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2021G | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2022 | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2022 | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA2012 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA2012_11 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| 2SA2012_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| 2SA2012-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2013 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
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