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参数资料
| 型号： | 2SA2011 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 12 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | 2SA2011 |
2SA2011 / 2SC5564
No.6305-3/5
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
DC
Current
Gain,
h
FE
f T -- IC
Gain-Brandwidth
Product,
f
T
--
MHz
f T -- IC
Collector Current, IC -- A
Gain-Brandwidth
Product,
f
T
--
MHz
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.4
--1.0
--1.2
IT00117
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SA2011
VCE=--2V
6
5
4
3
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.4
1.0
1.2
IT00118
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--10mA
--20mA
--30mA
--
40mA
--
50mA
--60mA
--70mA
--80mA
--90mA
--100mA
IB=0mA
IT00115
6
5
4
3
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10mA
20mA
30mA
40mA
50mA
60mA
70mA
IB=0mA
IT00116
100mA
90mA
80mA
2SC5564
2SA2011
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
--0.01
3
25
--10
--0.1
73
25
7
3
25
7
--1.0
IT00119
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
2SA2011
VCE=--2V
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
0.01
3
25
10
0.1
73
25
7
3
25
7
1.0
IT00120
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
2SC5564
VCE=2V
7
3
100
2
5
7
3
2
5
10
1.0
7
3
2
5
1000
--0.01
25
7
3
--0.1
25
7
3
--1.0
25
7
3
--10
IT00129
2SA2011
VCE=--2V
7
3
100
2
5
7
3
2
5
10
1.0
7
3
2
5
1000
0.01
25
7
3
0.1
25
7
3
1.0
25
7
3
10
IT00130
2SC5564
VCE=2V
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
2SC5564
VCE=2V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SA2012 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA2012_11 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| 2SA2012_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| 2SA2012-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2013 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
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