参数资料
型号: 2SA2127
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: MP, 3 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 33K
代理商: 2SA2127
2SA2127
No.8022-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=--1A, IB=--50mA
--0.2
--0.4
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--1A, IB=--50mA
--0.9
--1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10A, IE=0
--50
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10A, IC=0
--6
V
Turn-On Time
ton
See specified test circuit.
35
ns
Storage Time
tstg
See specified test circuit.
250
ns
Fall Time
tf
See specified test circuit.
24
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
2006C
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : MP
12 3
0.5
0.6
1.45
6.0
4.7
5.0
3.0
1.0
8.5
14.0
VR
RB
VCC= --25V
VBE=5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IC
IB2
IC=10IB1= --10IB2= --0.5A
IC -- VCE
IC -- VBE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
--2.0
--1.8
--1.6
--1.2
--1.4
--0.8
--1.0
--0.4
--0.6
--0.2
0
--0.4
0
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--0.2
--0.6
--1.0
--1.4
--1.8
IT07578
--6mA
--10mA
--20mA
--30mA
IB=0
--4mA
--2mA
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
VCE= --2V
--2.0
--1.0
--1.6
--1.4
--1.2
--0.6
--0.8
--0.4
--0.2
--1.8
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.1
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
IT07579
--50mA
--40mA
相关PDF资料
PDF描述
2SA2142 500 mA, 600 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2151Y 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2154-Y 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2154 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2154-GR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA2127-AE 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA2140 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
2SA21400P 功能描述:TRANS PNP 180VCEO 1.5A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SA21400Q 功能描述:TRANS PNP 180VCEO 1.5A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2142 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:High-Voltage Switching Applications