参数资料
型号: 2SA2154-Y
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: LEAD FREE, 2-1E1A, FSM, 3 PIN
文件页数: 2/3页
文件大小: 135K
代理商: 2SA2154-Y
2SA2154
2005-03-23
2
IC - VCE
-0
-20
-40
-60
-80
-100
-120
-0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
0
IB = -0.1mA
-0.2
-0.3
-0.5
-0.7
-1.0
-1.5
-2.0
PC - Ta
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
20
40
60
80
100
120
140
160
hFE - IC
10
100
1000
-0.1
-1
-10
-100
-25
25
Ta = 100°C
VCE(sat) - IC
-0.01
-0.1
-1
-0.1
-1
-10
-100
Ta = 100°C
-25
25
VBE(sat) - IC
-0.1
-1
-10
-0.1
-1
-10
-100
IB - VBE
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-1.4
B
A
S
E
CURRE
NT
 
IB
(
uA)
Ta = 100°C
-25
25
0
CO
LL
E
CTO
R
CURRE
NT
IC
(mA
)
DC
CURRE
NT
G
A
IN
h
F
E
CO
LL
E
CTO
R
-E
M
IT
T
E
R
S
A
T
URA
TI
O
N
V
O
LT
AG
E
VC
E(
sa
t)
(
V
)
BAS
E-
E
M
IT
T
E
R
S
A
T
U
R
A
T
IO
N
V
O
LT
AG
E
VBE
(sa
t)
(V
)
C
O
LL
EC
T
O
R
PO
WER
D
ISSIP
A
T
IO
N
PC
(
m
V)
AMBIENT TEMPERATURE Ta (°C)
BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V)
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
COMMON EMITTER
   
VCE =
6V
  
VCE =
1V
COMMON EMITTER Ta = 25°C
COMMON EMITTER
IC/IB = 10
COMMON EMITTER
IC/IB = 10
COMMON EMITTER
VCE =
6V
Ta = 100°C
25
-25
相关PDF资料
PDF描述
2SA2154 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2154-GR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2154MFV-GR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2154MFV 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2174G 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA2154-Y(TPL3) 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA -0.3V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA2161G0L 功能描述:TRANS PNP 12VCEO 500MA SSMINI3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2161J0L 功能描述:TRANS PNP 12VCEO 500MA SSMINI3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2162 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
2SA216200L 功能描述:TRANS PNP 12VCEO 500MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR