收藏本站
参数资料
型号： 2SA2174G
厂商： PANASONIC CORP
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN
文件页数： 1/4页
文件大小： 433K
代理商： 2SA2174G
Transistors
Publication date: May 2007
SJC00386AED
1
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SA2174G
Silicon PNP epitaxial planar type
For general amplication
Complementary to 2SC6054G
Features
High forward current transfer ratio hFE
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic
insertion through the tape packing.
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
-
60
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
-
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
-
7
V
Collector current
IC
-
100
mA
Peak collector current
ICP
-
200
mA
Collector power dissipation
PC
125
mW
Junction temperature
Tj
125
°
C
Storage temperature
Tstg
-
55 to +125
°
C
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC = -10 mA, IE = 0
-
60
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = -2 mA, IB = 0
-
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE = -10 mA, IC = 0
-
7
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = -20 V, IE = 0
-
0.1
m
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE = -10 V, IB = 0
-
100
m
A
Forward current transfer ratio
hFE
VCE = -10 V, IC = -2 mA
160
460
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC = -100 mA, IB = -10 mA
-
0.2
-
0.5
V
Transition frequency
fT
VCB = -10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
80
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
Cob
VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz
2.2
pF
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Package
Code
SSMini3-F3
Marking Symbol: 7L
Pin Name
1. Base
2. Emitter
3. Collector
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相关PDF资料
PDF描述
2SA2179 13 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SA2183 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2190 2 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2195 1700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2204-TL 2500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA2174G0L 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2174J0L 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2179 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching Applications
2SA2180 功能描述:TRANS PNP 50V 5A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2181 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 15A High-Speed Switching
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*