| 型号: | 2SA2183 |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装: | LEAD FREE, 2-10U1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件页数: | 1/5页 |
| 文件大小: | 179K |
| 代理商: | 2SA2183 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2190 | 2 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2195 | 1700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2204-TL | 2500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2204-TL | 2500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2219 | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA2183(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 2A 3-Pin TSM |
| 2SA2186 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications |
| 2SA2186-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2188 | 制造商:ISAHAYA 制造商全称:Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
| 2SA2192 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications |