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参数资料
| 型号： | 2SA854ST146R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SPT, SC-72, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | 2SA854ST146R |
2SA854S
Transistors
Rev.A
3/3
500
1000
200
100
50
20
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
-1
-2
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500 -1000
Ta
=25
°C
VCE
=
5V
3V
1V
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.4 DC current gain vs.
collector current ( )
Ι
500
1000
200
100
50
20
-1
-2
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500 -1000
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
VCE
=
3V
Ta
=100
°C
25
°C
55°C
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.5 DC current gain vs.
collector current ( )
ΙΙ
Fig.6 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current ( )
-0.1
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
-1 -2
-5 -10 -20
-50 -100 -200 -500
-1
-0.5
-0.2
-0.05
-0.02
Ta
=25
°C
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
IC/IB
=50
20
10
ΙΙ
-0.05
-0.03
-0.02
-0.01
-1
-2
-5
-10 -20
-50 -100 -200
-500 -1000
-0.5
-0.3
-0.2
-0.1
-1.0
lC/lB
=10
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(
V)
Ta
=100
°C
25
°C
55°C
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
Fig.7 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current ( )
ΙΙ
50
0.5
20
50
100
200
500
1000
12
5
10
Fig.8
Gain bandwidth product vs.
emitter current
EMITTER CURRENT : IE
(mA)
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T(
MHz)
Ta
=25
°C
VCE
=
5V
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
Cob
(
pF)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
Cib
(
pF)
-50
-0.5
-20
2
5
10
50
100
-1
-2
-5
-10
20
Ta
=25
°C
f
=1MHz
IE
=0A
IC
=0A
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB
(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB
(V)
Fig.9 Collector output capacitance vs.
collector-base voltage. Emitter input
capacitance vs. emitter-base voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA854STP | 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1036KT146 | 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA872D | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA872AD | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA872 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA854STPQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA854STPR | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA857 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-150V -.05A .5W ECB |
| 2SA858 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-150V -.05A .5W ECB |
| 2SA866 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-30V -.1A .3W EBC |
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