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参数资料
| 型号： | 2SAR522EBTL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | EMT3F, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | 2SAR522EBTL |
2/2
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2010.09 - Rev.A
Data Sheet
2SAR522M / 2SAR522EB / 2SAR522UB
Electrical characteristics curves
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1000
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
VCE =2V
Ta=125
°C
25
°C
-55
°C
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1000
IC/IB= 10/1
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1000
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
IC/IB = 20/1
IC/IB =10/1
0
-20
-40
-60
-80
-100
0
-1-2
-3-4
-5
Ta=25
°C
IB=0.7mA
IB=0.6mA
IB=0.5mA
IB=0.4mA
IB=0.3mA
IB=0.2mA
IB=0.1mA
IB=0mA
IB=1.0mA
IB=0.9mA IB=0.8mA
10
1000
-0.1
-1
-10
-100
-1000
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
DC
CURENT
GAIN
:h
FE
TRANSITION
FREQUENCY
:f
T(MHz)
VCE=2V
0.1
1
10
100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V)
Ta=25
°C
f=1MHz
IE=0
IC=0
Cob
Cib
10
100
1000
-0.1
-1
-10
-100
-1000
EMITTER CURRENT : IE (mA)
VCE = 10V
Ta=25
°C
COLLECTOR
CURRENT
:I
C
(mA)
COLLECTOR
CURRENT
:I
C
(mA)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:V
CE
(sat)
(V)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:V
CE
(sat)
(V)
Cob
(pF)
Cib
(pF)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE :
VCE (V)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Ta=125
°C
25
°C
-55
°C
Ta=125
°C
25
°C
-55
°C
Ta=25
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SAR522UBTL | 200 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SAR523EBTL | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SAR542DTL | 5000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB0621AS | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SB0767Q | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SAR522M | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(-20V,-0.2A) |
| 2SAR522MT2L | 功能描述:TRANS PNP 20V 0.2A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:350MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 |
| 2SAR522UB | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(-20V,-0.2A) |
| 2SAR522UBTL | 功能描述:两极晶体管 - BJT GP Amplification Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SAR523EB | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General purpose transistor(-50V,-0.1A) |
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