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参数资料
| 型号： | 2SAR533DTL |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 421K |
| 代理商： | 2SAR533DTL |
Data Sheet
www.rohm.com
20
10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2SAR533D
1
10
100
1000
-0.1
-1
-10
-100
COLLECTOR - BASE VOLTAGE : V
CB [V]
EMITTER - BASE VOLTAGE : V
EB [V]
Fig.7 Emitter Input Capacitance vs. Emitter-Base Voltage
Collector Output Capacitance vs. Collector-Base Voltage
Ta=25
°C
f=1MHz
I
E=0A
I
C=0A
CO
L
ECT
O
R
O
U
T
P
UT
CAPACI
T
ANCE
:
Co
b
(p
F
)
EM
IT
T
E
R
IN
PUT
CAPACI
T
ANCE
:Ci
b
(p
F
)
Cob
Cib
10
100
1000
10
100
1000
T
R
ANSI
T
IO
N
F
R
EQ
UENCY
:
f
T
[M
Hz]
EMITTER CURRENT : I
E[mA]
Fig.8 Gain Bandwidth Product vs. Emitter Current
Ta=25
°C
V
CE= -10V
-10
:I
C
[A
]
Fig.9 Safe Operating Area
10ms
1ms
-0.01
-0.1
-1
-0.1
-1
-10
-100
COL
L
ECT
O
R
CURRENT
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE[V]
Tc=25℃
Single non repetitive pulse
DC Ta=25
°C
（Mounted on a board）
DC Tc=25℃
4/5
2010.07 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SAR533PT100 | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SAR544RTL | 2500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB0710S | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SB0945Q | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB945R | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SAR533P | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:PNP -3.0A -50V Middle Power Transistor |
| 2SAR533P_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-50V / -3A) |
| 2SAR533P_13 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:PNP -3.0A -50V Middle Power Transistor |
| 2SAR533P5T100 | 功能描述:PNP -50V -3A MEDIUM POWER TRANSI 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，3V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 |
| 2SAR533PFRAT100 | 功能描述:PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 50mA，3V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 |
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