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参数资料
| 型号： | 2SAR554PT100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SAR554PT100 |
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www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.A
Midium Power Transistors (-80V / -1.5A)
2SAR554P
Structure
Dimensions
(Unit : mm)
PNP Silicon epitaxial planar transistor
Features
1) Low saturation voltage, typically
VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -500mA / -25mA)
2) High speed switching
Applications
Driver
Inner circuit
(Unit : mm)
Package
Taping
Code
T100
Basic ordering unit (pieces)
1000
2SAR554P
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
C)
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
-80
V
Collector-emitter voltage
VCEO
-80
V
Emitter-base voltage
VEBO
-6
V
DC
IC
-1.5
A
Pulsed
ICP
-3
A
PD
0.5
W
PD
2W
Junction temperature
Tj
150
C
Range of storage temperature
Tstg
-55 to 150
C
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Each terminal mounted on a recommended land.
*3 Mounted on a ceramic board. (40x40x0.7mm)
Packaging specifications
Type
Parameter
Collector current
Power dissipation
*1
*2
*3
Abbreviated symbol : MH
(1)
(2)
(3)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB0621Q | 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SB0621S | 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SB0709AQ | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SB0709AS | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SB0710AQ | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SAR554R | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-80V / -1.5A) |
| 2SAR554RTL | 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:340MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 |
| 2SAR572D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 |
| 2SAR572DGTL | 功能描述:TRANS PNP 30V 5A CPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 |
| 2SAR573D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 |
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