参数资料
型号: 2SAR554PT100
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 1500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: MPT3, 3 PIN
文件页数: 5/5页
文件大小: 237K
代理商: 2SAR554PT100
2SA1485
Silicon PNP Epitaxial
ADE-208-1020 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
Low frequency amplifier
Outline
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-92 (1)
3
2
1
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
2SAR554R 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-80V / -1.5A)
2SAR554RTL 功能描述:TRANS PNP 80V 1.5A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 25mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:340MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1
2SAR572D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1
2SAR572DGTL 功能描述:TRANS PNP 30V 5A CPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1
2SAR573D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1