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参数资料
| 型号： | 2SAR554PT100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SAR554PT100 |
Data Sheet D14866EJ2V0DS
2
2SA1008
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector to emitter voltage
VCEO(SUS)
IC =
1.0 A, IB1 = 0.1 A, L = 1 mH
100
V
Collector to emitter voltage
VCEX(SUS)1
IC =
1.0 A, IB1 = IB2 = 0.1 A,
VBE(OFF) = 5.0 V, L = 180
H, clamped
100
V
Collector to emitter voltage
VCEX(SUS)2
IC =
2.0 A, IB1 = 0.2 A, IB2 = 0.1 A,
VBE(OFF) = 5.0 V, L = 180
H, clamped
100
V
Collector cutoff current
ICBO
VCB =
100 V, IE = 0 A
10
A
Collector cutoff current
ICER
VCE =
100 V, RBE = 51 , TA = 125°C
1.0
mA
Collector cutoff current
ICEX1
VCE =
100 V, VBE(OFF) = 1.5 V
10
A
Collector cutoff current
ICEX2
VCE =
100 V, VBE(OFF) = 1.5 V,
TA = 125
°C
1.0
mA
Emitter cutoff current
IEBO
VEB =
5.0 V, IC = 0 A
10
A
DC current gain
hFE1
VCE =
5.0 V, IC = 0.1 ANote
40
DC current gain
hFE2
VCE =
5.0 V, IC = 1.0 ANote
40
200
Collector saturation voltage
VCE(sat)
IC =
1.0 A, IB = 0.1 ANote
0.6
V
Base saturation voltage
VBE(sat)
IC =
1.0 A, IB = 0.1 ANote
1.5
V
Turn-on time
ton
0.5
s
Storage time
tstg
1.5
s
Fall time
tf
IC =
1.0 A, RL = 50 ,
IB1 =
IB2 = 0.1 A, VCC 50 V
Refer to the test circuit.
0.5
s
Note Pulse test PW
≤ 350
s, duty cycle ≤ 2%
hFE CLASSIFICATION
Marking
M
L
K
hFE2
40 to 80
60 to 120
100 to 200
SWITCHING TIME (ton, tstg, tf) TEST CIRCUIT
Base current
waveform
Collector current
waveform
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SB0709AS | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SAR572DGTL | 功能描述:TRANS PNP 30V 5A CPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 |
| 2SAR573D3TL1 | 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 |
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