参数资料
型号: 2SB0956GR
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 210K
代理商: 2SB0956GR
2SB1255
2
SJD00064BED
VBE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
ton , tstg , tf IC
Safe operation area
0
160
40
120
80
0
120
100
80
60
40
20
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)Without heat sink
(PC=3W)
(1)
(2)
(3)
0
12
2
10
4
8
6
12
10
8
6
4
2
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
TC=25C
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
–0.3mA
–0.2mA
–1mA
IB=–2mA
0.1
100
10
1
0.1
1
10
100
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=1000
25C
–25C
TC=100C
0.1
1
10
100
10
1
100
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=1000
TC=–25C
25C
100C
0.01
0.1
1
10
102
103
104
105
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=–5V
TC=100C
25C
–25C
1
10
100
1
1 000
100
10
IE=0
f=1MHz
TC=25C
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
0
16
4
12
8
0.01
0.1
1
10
100
Turn-on
time
t
on
,
Storage
time
t
stg
,
Fall
time
t
f
(
s)
Collector current I
C (A)
tstg
ton
tf
Pulsed tw=1ms
Duty cycle=1%
IC/IB=1000
(–IB1=IB2)
VCC=–50V
TC=25C
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1000
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
t=1ms
ICP
IC
t=10ms
Non repetitive pulse
TC=25C
DC
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料
PDF描述
2SB0956G-R 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB0956G-S 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB0956GS 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB0956G 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1000A SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SB0956GRL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 1A MINIP-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SB0956R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
2SB0956S 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
2SB0968 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Low-Frequency Output Amplification
2SB0968(2SB968) 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:パワーデバイス - パワートランジスタ - 汎用電力増幅