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参数资料
| 型号： | 2SB0956GR |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | 2SB0956GR |
2SB1255
3
SJD00064BED
Rth t
101
1
10
102
104
103
104
103
102
10
1
101
102
103
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
(°
C/W)
Note: Rth was measured at Ta=25C and under natural convection.
(1)PT=10V
×0.3A(3W) and without heat sink
(2)PT=10V
×1.0A(10W) and with a 100×100×2mm Al heat sink
(1)
(2)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB0956G-R | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB0956G-S | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB0956GS | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB0956G | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1000A | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB0956GRL | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 1A MINIP-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB0956R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 |
| 2SB0956S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 |
| 2SB0968 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Low-Frequency Output Amplification |
| 2SB0968(2SB968) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:パワーデバイス － パワートランジスタ － 汎用電力増幅 |
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