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参数资料
| 型号： | 2SB1015A-O |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-10R1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | 2SB1015A-O |
2SB1015A
2003-02-04
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
2SB1015A
Audio Frequency Power Amplifier Applications
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 1.7 V (max)
(IC = 3 A, IB = 0.3 A)
Collector power dissipation: PC = 25 W (Tc = 25°C)
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
-60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
-60
V
Emitter-base voltage
VEBO
-7
V
Collector current
IC
-3
A
Base current
IB
-0.5
A
Ta
= 25°C
2.0
Collector power
dissipation
Tc
= 25°C
PC
25
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~150
°C
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SB1016 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
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