- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49905 > 2SB1072(S) POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SB1072(S) |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | 2SB1072(S) |
2SB1072(L), 2SB1072(S)
Silicon PNP Triple Diffused
Application
Medium speed power amplifier complementary pair with 2SD1520(L)/(S)
Outline
4
12
3
4
3
2
1
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
DPAK
S Type
L Type
3 k
(Typ)
0.4 k
(Typ)
ID
1
2, 4
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1073-Q | 4000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1073 | 4000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1094-L-AZ | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1094-AZ | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1120-F | 2500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1073 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR |
| 2SB10730RL | 功能描述:TRANS PNP LF 20VCEO 4A MINI-PWR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1073-PQR | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SB1073Q | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 4A I(C) | SC-62 |
| 2SB1073-Q | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR SUB: 2SB1073 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。