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参数资料
| 型号： | 2SB1132T100P |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, SC-62, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | 2SB1132T100P |
2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237
Transistors
Rev.B
4/4
TRANSIENT
THERMAL
RESISTANCE
:
R
th
(C/W)
TIME : t
(s)
Fig.10 Transient thermal resistance
(2SB1132)
0.001
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
1000
Ta
=25 C
0.01
5
0.1
50
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.11 Safe operation area
(2SB1237)
2
0.2
0.5
1
0.1
0.02
0.05
0.2 0.5 1 2
5 10 20
PW
=100ms
PW
=10ms
DC
IC Max.
Ta
=25 C
Single pulse
0.1
1
10
100
1000
0.01
TRANSIENT
THERMAL
RESISTANCE
:
R
th
(C/W)
TIME : t
(s)
Fig.12 Transient thermal resistance
(2SB1237)
200
100
50
20
10
5
2
Ta
=25 C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1237TU2P | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1132T100/P | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1132T100/R | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1140-S | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1140-R | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1132T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 32V 1A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1132T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 32V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1132T113Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1132T200Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SB1132-X-AB3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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