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参数资料
| 型号： | 2SB1230-P |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3PB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | 2SB1230-P |
2SB1230 / 2SD1840
No.3259-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0A
(--)110
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)5mA, RBE=∞
(--)100
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0A
(--)6
V
Package Dimensions
unit : mm
7503-003
14.0
15.6
4.8
2.0
20.0
3.5
2.6
1.2
1.3
15.0
3.2
1.4
1.6
1.0
0.6
5.45
12 3
0.6
2.0
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-3PB
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE(ON)
Base-to-Emitter ON Voltage, VBE(ON) -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Base-to-Emitter ON Voltage, VBE(ON) -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR09378
ITR09379
0
--1
--2
--3
--4
--5
0
--4
--6
--2
--8
--10
--12
--14
--16
--18
IB=0A
2SB1230
02
13
4
5
0
6
8
4
2
10
14
16
18
12
IB=0A
2SD1840
ITR09380
ITR09381
--0.4
0
--0.8
--1.6
--2.0
--2.4
--1.2
--6
--4
--2
--8
--10
--12
--14
--16
0
1.2
0.4
0
0.8
1.6
2.0
2.4
0
6
4
2
8
10
12
14
16
2SB1230
VCE= --2V
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
2SD1840
VCE=2V
2.0A
1.0A
0.5A
0.3A
0.2A
0.1A
0.05A
2.0A
1.0A
0.5A
0.3A
0.2A
0.1A
0.05A
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